Samsung heeft als eerste bedrijf HBM3E-geheugenchips van twaalf lagen ontwikkeld. Deze chips hebben ieder een capaciteit van 36GB en halen piekbandbreedtes van 1,28TB/s. Samsung deelt momenteel samples met klanten. Massaproductie begint in de eerste helft van 2024.
De Samsung HBM3E 12H-chips zijn de eerste HBM3E-geheugenmodules die bestaan uit twaalf lagen. De voorgaande HBM3-chips van het bedrijf bestaan uit stapels van acht layers. Daarmee wordt de capaciteit met vijftig procent opgehoogd: van 24 naar 36GB.
De nieuwe modules worden geproduceerd met geavanceerde thermal compression non-conductive film, oftewel tc-ncf. Daardoor hebben ze dezelfde hoogte als de voorgaande modules van acht lagen. Deze tc-ncf moet ook de thermische eigenschappen van de geheugenmodules verbeteren, omdat tijdens het productieproces verschillende soorten bumps gebruikt kunnen worden. Samsung gebruikt kleinere bumps voor de signaling en grotere op plaatsen die warmteafvoer vereisen. Met deze productiemethode zijn ook de yields hoger dan voorheen, claimt de Zuid-Koreaanse techgigant.
De HBM3E-chips van Samsung komen beschikbaar onder de codenaam Shinebolt. De chipmaker deelde eerder al specificaties van deze geheugengeneratie. De fabrikant noemde toen snelheden van 9,8Gbit/s per pin, wat neer zou komen op een bandbreedte van ruim 1,25TB/s per module. De chipmaker noemt nu echter een maximale bandbreedte van 1,28TB/s per module.
Er zijn meer fabrikanten die werken aan HBM3E-geheugen. Micron deelde op maandag bijvoorbeeld details over zijn HBM3E-geheugenchips, die uit acht lagen bestaan en een capaciteit van 24GB hebben. Die Amerikaanse fabrikant komt overigens later dit jaar ook met HBM3E-modules van 36GB. HBM wordt onder meer gebruikt in gpu's, en dan vooral in datacenterproducten.
HBM-geheugenaanbod van SamsungHBM3EShinebolt36GB9,8Gbit/s1254,4GB/s Source: Tweakers.net